Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G18P03S

G18P03S
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30V
Drain current
-15A
Power dissipation
3.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG18P03S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30V
Drain current-15A
Power dissipation3.1W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -15A; 3.1W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.