Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G18NP06Y

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60V
Drain current
18/-18A
Power dissipation
45/50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG18NP06Y
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60V
Drain current18/-18A
Power dissipation45/50W
КорпусTO252-4
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22/25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 18/-18A; 45/50W

Документация

Документы пока не предоставлены.