Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G180N06S2

G180N06S2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8 A
Рассеиваемая мощность
2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG180N06S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8 A
Рассеиваемая мощность2 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge58nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 8A; 2W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.