Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G180C06Y

Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60 V
Drain current
50/-60 A
Power dissipation
69/115 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG180C06Y
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60 V
Drain current50/-60 A
Power dissipation69/115 W
КорпусTO252-4
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge39/62nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 50/-60A

Документация

Документы пока не предоставлены.