Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G170P03S2

G170P03S2
Type of transistor
P-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-11 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG170P03S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-11 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -11A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.