GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G170P03D3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -30 A
Power dissipation: 35 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G170P03D3
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-30 A
Power dissipation	35 W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	35nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -30A; 35W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.