GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G170P02D2

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Технология: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20 V
Drain current: -16 A
Power dissipation: 18 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G170P02D2
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Технология	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-20 V
Drain current	-16 A
Power dissipation	18 W
Корпус	DFN2x2-6
Gate-source voltage	±8 V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -16A; 18W; DFN2x2-6

Документация

Документы пока не предоставлены.