Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G16N03S

G16N03S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
16 A
Power dissipation
3.8 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG16N03S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current16 A
Power dissipation3.8 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 16A; 3.8W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.