Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G160P03K

G160P03K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-30 A
Power dissipation
60 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG160P03K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-30 A
Power dissipation60 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31.2nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -30A; 60W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.