Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G160N04S2

G160N04S2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
9 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG160N04S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current9 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 40V; 9A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.