Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G15N06K

G15N06K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
15 A
Power dissipation
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG15N06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current15 A
Power dissipation40 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 15A; 40W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.