Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G135P04S

G135P04S
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-10A
Power dissipation
2.8W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG135P04S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-10A
Power dissipation2.8W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge49nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -10A; 2.8W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.