Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G130N06M

G130N06M
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
90 A
Power dissipation
85 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG130N06M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current90 A
Power dissipation85 W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36.6nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 90A; 85W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.