Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G12P10KE

G12P10KE
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100V
Drain current
-12A
Power dissipation
45W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG12P10KE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100V
Drain current-12A
Power dissipation45W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 45W; TO252; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.