Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G12P06K

G12P06K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-12 A
Power dissipation
27 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG12P06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-12 A
Power dissipation27 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -12A; 27W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.