Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G12P03D3

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-12 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG12P03D3
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-12 A
Power dissipation30 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -12A; 30W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.