Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G120P06T

G120P06T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-120 A
Power dissipation
277 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG120P06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-120 A
Power dissipation277 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.