Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G11S

G11S
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-11 A
Рассеиваемая мощность
3.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 996 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%147,04 ₽

Сумма · с НДС 22%147,04 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1147,04 ₽
от 1075,49 ₽
от 2556,84 ₽
от 10038,55 ₽
от 50034,25 ₽
от 100030,66 ₽
от 400026,90 ₽
от 800024,75 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG11S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-11 A
Рассеиваемая мощность3.3 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -11A; 3.3W; SOP8

Документация

Документ производителя