Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G110N06K

G110N06K
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
110 A
Power dissipation
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG110N06K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current110 A
Power dissipation160 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge122nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.