Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G10N10A

G10N10A
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
10A
Power dissipation
28W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG10N10A
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current10A
Power dissipation28W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge15.5nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 10A; 28W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.