Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G10N03S

G10N03S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
13 A
Power dissipation
2.23 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG10N03S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current13 A
Power dissipation2.23 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 13A; 2.23W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.