Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1006LE

G1006LE
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
3 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG1006LE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current3 A
Power dissipation1.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.