Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1003B

G1003B
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
3A
Power dissipation
1.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG1003B
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current3A
Power dissipation1.5W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 3A; 1.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.