Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1002L

G1002L
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2 A
Power dissipation
1.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG1002L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2 A
Power dissipation1.3 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.