Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G1002

G1002
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
2A
Power dissipation
1.3W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG1002
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current2A
Power dissipation1.3W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.