Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G09P02L

G09P02L
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-20 V
Drain current
-9 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 820 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%147,04 ₽

Сумма · с НДС 22%147,04 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1147,04 ₽
от 1089,48 ₽
от 2551,29 ₽
от 10030,84 ₽
от 50026,90 ₽
от 100024,57 ₽
от 300021,34 ₽
от 600019,73 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG09P02L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-20 V
Drain current-9 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge72nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -9A; 2.5W; SOT23

Документация

Документ производителя