Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G09N06S2

G09N06S2
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
9 A
Power dissipation
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG09N06S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current9 A
Power dissipation2.6 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 9A; 2.6W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.