GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G08P06D3

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -20A
Power dissipation: 40W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	G08P06D3
Производитель	GOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistor	P-MOSFET
Technology	Trench
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-60V
Drain current	-20A
Power dissipation	40W
Корпус	DFN3x3-8
Gate-source voltage	±20V
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44nC
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -20A; 40W; DFN3x3-8

Документация

Документы пока не предоставлены.