Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G08N06S

G08N06S
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
5 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG08N06S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current5 A
Power dissipation2.1 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 2.1W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.