Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G08N03D2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
8A
Power dissipation
17W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG08N03D2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current8A
Power dissipation17W
КорпусDFN2x2-6
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 8A; 17W; DFN2x2-6

Документация

Документы пока не предоставлены.