Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G085C03D32

Фото уточняется
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30/-30 V
Drain current
28/-12 A
Power dissipation
13/30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG085C03D32
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30/-30 V
Drain current28/-12 A
Power dissipation13/30 W
КорпусDFN3x3-8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18/25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 28/-12A; 13/30W

Документация

Документы пока не предоставлены.