Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G080P06T

G080P06T
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-195 A
Power dissipation
294 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 982 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%385,15 ₽

Сумма · с НДС 22%385,15 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1385,15 ₽
от 10348,93 ₽
от 50306,98 ₽
от 200287,91 ₽
от 500266,94 ₽
от 1000249,78 ₽
от 2000240,24 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяG080P06T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-195 A
Power dissipation294 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge186nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -195A; 294W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.