Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G080P06M

G080P06M
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-195A
Power dissipation
294W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG080P06M
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-195A
Power dissipation294W
КорпусTO263
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge186nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -195A; 294W; TO263

Документация

Документы пока не предоставлены.