Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G080N10T

G080N10T
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
140A
Power dissipation
236W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG080N10T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current140A
Power dissipation236W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge192nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 140A; 236W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.