Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G07P04S

G07P04S
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-7 A
Power dissipation
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG07P04S
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-7 A
Power dissipation2.5 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge31nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -40V; -7A; 2.5W; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.