Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G06NP06S2

G06NP06S2
Type of transistor
N/P-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60V
Drain current
6/-6A
Power dissipation
2/2.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG06NP06S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60V
Drain current6/-6A
Power dissipation2/2.5W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22/25nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 6/-6A; 2/2.5W

Документация

Документы пока не предоставлены.