Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G05P06L

G05P06L
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5 A
Power dissipation
2.6 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG05P06L
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5 A
Power dissipation2.6 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -5A; 2.6W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.