Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G05NP06S2

G05NP06S2
Type of transistor
N/P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60/-60 V
Drain current
5/-3.1 A
Power dissipation
2.5/1.9 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG05NP06S2
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN/P-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60/-60 V
Drain current5/-3.1 A
Power dissipation2.5/1.9 W
КорпусSOP8
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22/37nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 60/-60V; 5/-3.1A; SOP8

Документация

Документы пока не предоставлены.