Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G050P03K

G050P03K
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-85 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG050P03K
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-85 A
Power dissipation100 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge163nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -30V; -85A; 100W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.