Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G050N06LL

G050N06LL
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
5 A
Power dissipation
1.25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяG050N06LL
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current5 A
Power dissipation1.25 W
КорпусSOT23-6
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26.4nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 5A; 1.25W; SOT23-6

Документация

Документы пока не предоставлены.