Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G02P06

G02P06
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-1.6 A
Power dissipation
1.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG02P06
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-1.6 A
Power dissipation1.5 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.3nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; 1.5W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.