Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G025N03T

G025N03T
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
160 A
Power dissipation
130 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG025N03T
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current160 A
Power dissipation130 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge89nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 160A; 130W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.