Антава

GOFORD SEMICONDUCTOR

Транзистор G01N20LE

G01N20LE
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
1.7A
Power dissipation
1.5W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяG01N20LE
ПроизводительGOFORD SEMICONDUCTOR
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyTrench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current1.7A
Power dissipation1.5W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 1.7A; 1.5W; SOT23; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.