Антава

INFINEON

Транзистор FZ900R12KE4HOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
900 A
Корпус
AG-62MMES
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFZ900R12KE4HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current900 A
КорпусAG-62MMES
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.8kA
Power dissipation4.3 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES

Документация

Документ производителя