Антава

INFINEON

Транзистор FZ825R33HE4DBPSA1

Фото уточняется
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
common emitter, transistor/transistor
Topology
IGBT x2
Max. off-state voltage
3.3kV
Collector current
825A
Корпус
AG-IHVB130
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFZ825R33HE4DBPSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurecommon emitter, transistor/transistor
TopologyIGBT x2
Max. off-state voltage3.3kV
Collector current825A
КорпусAG-IHVB130
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current1.65kA
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2

Документация

Документы пока не предоставлены.