Антава

INFINEON

Транзистор FZ800R45KL3B5NOSA2

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
800 A
Gate-emitter voltage
±20 V
Pulsed collector current
1.6kA
Рассеиваемая мощность
9 kW
Технология
Field Stop, Trench
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFZ800R45KL3B5NOSA2
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current800 A
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.6kA
Рассеиваемая мощность9 kW
ТехнологияField Stop, Trench
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 800A; 9kW; Field Stop,Trench; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.