Антава

INFINEON

Транзистор FZ600R12KE3HOSA1

FZ600R12KE3HOSA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
600 A
Корпус
AG-62MM
Electrical mounting
screw

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяFZ600R12KE3HOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current600 A
КорпусAG-62MM
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.2kA
Рассеиваемая мощность2.8 kW
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM

Документация

Документ производителя