INFINEON
Транзистор FZ600R12KE3HOSA1
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- single transistor
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 600 A
- Корпус
- AG-62MM
- Electrical mounting
- screw
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | FZ600R12KE3HOSA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 600 A |
| Корпус | AG-62MM |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 1.2kA |
| Рассеиваемая мощность | 2.8 kW |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.