Антава

INFINEON

Транзистор FZ1800R17HE4B9HOSA2

Type of semiconductor module
IGBT
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
11.5 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFZ1800R17HE4B9HOSA2
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность11.5 kW
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; 11.5kW

Документация

Документы пока не предоставлены.