Антава

INFINEON

Транзистор FZ1200R33HE3BPSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Gate-emitter voltage
±20 V
Технология
Field Stop, Trench

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяFZ1200R33HE3BPSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Gate-emitter voltage±20 V
ТехнологияField Stop, Trench
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Field Stop,Trench

Документация

Документы пока не предоставлены.