Антава

INFINEON

Транзистор FZ1200R17HE4HOSA2

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
1.2kA
Gate-emitter voltage
±20 V
Рассеиваемая мощность
7.8 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFZ1200R17HE4HOSA2
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current1.2kA
Gate-emitter voltage±20 V
Рассеиваемая мощность7.8 kW
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 1.2kA; 7.8kW

Документация

Документы пока не предоставлены.